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CSD16301Q2

CSD16301Q2

TI(德州仪器) 分立器件

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16301Q2, 5 A, Vds=25 V, 6引脚 SON封装


得捷:
MOSFET N-CH 25V 5A 6SON


立创商城:
N沟道 25V 5A


德州仪器TI:
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 25 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 1.2 V


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 6-SON


DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 6-SON


CSD16301Q2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 6

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.3 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 4.4 ns

输入电容Ciss 340pF @12.5VVds

额定功率Max 2.3 W

下降时间 1.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SMD-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.8 mm

封装 SMD-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD16301Q2引脚图与封装图
CSD16301Q2引脚图

CSD16301Q2引脚图

CSD16301Q2封装图

CSD16301Q2封装图

CSD16301Q2封装焊盘图

CSD16301Q2封装焊盘图

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