制造商型号： | SI2312A |
制造商： | MW (台湾明纬) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.77A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：33mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
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客服： | |
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MW(台湾明纬) SI2312A
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SI2312A 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI2312A
制造商
MW(台湾明纬)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.77A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：33mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3.77A
栅源极阈值电压
850mV @ 250uA
漏源导通电阻
33mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
750mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10 | 0.258883 | 2.59 |
| 100 | 0.211205 | 21.12 |
| 300 | 0.187367 | 56.21 |
| 3000 | 0.153759 | 461.28 |
| 6000 | 0.139457 | 836.74 |
品牌其他型号
SI2312A品牌厂家：MW
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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