制造商型号: | SE6020B |
制造商: | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE6020B
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SE6020B 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE6020B
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
20A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
20mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
45W
类型
N沟道
包装方式
管装
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.455024 | 1.46 |
10 | 1.21367 | 12.14 |
30 | 1.110232 | 33.31 |
100 | 0.885979 | 88.60 |
500 | 0.825296 | 412.65 |
品牌其他型号
SE6020B品牌厂家:SINO-IC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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