制造商型号: | SE12N65F |
制造商: | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):156W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE12N65F
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SE12N65F 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE12N65F
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):156W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
12A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
750mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
156W
类型
N沟道
包装方式
管装
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.033117 | 4.03 |
10 | 3.31892 | 33.19 |
30 | 2.961821 | 88.85 |
100 | 2.604722 | 260.47 |
500 | 2.226617 | 1113.31 |
品牌其他型号
SE12N65F品牌厂家:SINO-IC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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