制造商型号： | KNF6165A |
制造商： | KIA |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
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客服： | |
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KIA KNF6165A
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KNF6165A 规格参数
属性
参数值
制造商型号
KNF6165A
制造商
KIA
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
10A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
900mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
50W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 3.310963 | 3.31 |
| 10 | 2.709963 | 27.10 |
| 30 | 2.458636 | 73.76 |
| 100 | 2.141745 | 214.17 |
| 500 | 1.99969 | 999.85 |
品牌其他型号
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KNF6165A品牌厂家：KIA
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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