制造商型号: | ZXMN3B14FTA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) ZXMN3B14FTA
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ZXMN3B14FTA 中文资料
数据手册PDF
ZXMN3B14FTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 140 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 6.7 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.8 ns
上升时间 4.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.3 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns
外形参数
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 241025
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.70745 | 7.71 |
10 | 6.638352 | 66.38 |
100 | 4.599607 | 459.96 |
500 | 3.842785 | 1921.39 |
1000 | 3.270445 | 3270.45 |
品牌其他型号
ZXMN3B14FTA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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