制造商型号: | MTE030N15RQ8 |
制造商: | CY (超音) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.6A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:38mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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CY(超音) MTE030N15RQ8
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MTE030N15RQ8 规格参数
属性
参数值
制造商型号
MTE030N15RQ8
制造商
CY(超音)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.6A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:38mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
5.6A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
38mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
3.1W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.39998 | 5.40 |
10 | 4.498215 | 44.98 |
30 | 4.042028 | 121.26 |
100 | 3.70254 | 370.25 |
500 | 3.38427 | 1692.13 |
品牌其他型号
MTE030N15RQ8品牌厂家:CY
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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