制造商型号： | MTEF1P15AV8 |
制造商： | CY (超音) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：680mΩ @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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CY(超音) MTEF1P15AV8
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MTEF1P15AV8 规格参数
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制造商型号
MTEF1P15AV8
制造商
CY(超音)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：680mΩ @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-150V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
5.4A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
680mΩ @ 1.4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
42W(Tc)
类型
P沟道
包装方式
编带
品牌其他型号
MTEF1P15AV8品牌厂家：CY
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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