制造商型号： | SE120120G |
制造商： | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：129A 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.1mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：185W(Tc) 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE120120G
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SE120120G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE120120G
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：129A 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.1mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：185W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
120V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
129A
栅源极阈值电压
4.5V @ 250uA
漏源导通电阻
6.1mΩ @ 60A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
185W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.4314 | 9.43 |
| 10 | 7.787005 | 77.87 |
| 30 | 6.588188 | 197.65 |
| 100 | 5.61216 | 561.22 |
| 500 | 5.442416 | 2721.21 |
品牌其他型号
SE120120G品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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