制造商型号： | WNM2077-3/TR |
制造商： | WILLSEMI (韦尔) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：510mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 350mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310mW 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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WILLSEMI(韦尔) WNM2077-3/TR
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WNM2077-3/TR 规格参数
属性
参数值
制造商型号
WNM2077-3/TR
制造商
WILLSEMI(韦尔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：510mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 350mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
510mA
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
600mΩ @ 350mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
310mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 132
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5 | 0.276836 | 1.38 |
| 20 | 0.253241 | 5.06 |
| 100 | 0.229646 | 22.96 |
| 500 | 0.206051 | 103.03 |
| 1000 | 0.19504 | 195.04 |
品牌其他型号
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WNM2077-3/TR品牌厂家：WILLSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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