制造商型号： | WPM2006-6/TR |
制造商： | WILLSEMI (韦尔) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.45W 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多WPM2006-6/TR价格库存等采购信息！ |
WILLSEMI(韦尔) WPM2006-6/TR
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
WPM2006-6/TR 规格参数
属性
参数值
制造商型号
WPM2006-6/TR
制造商
WILLSEMI(韦尔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.45W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
120mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.45W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存： 5810
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
品牌其他型号
保护器件/3301897.jpg)
保护器件/3273772.jpg)
保护器件/3317889.jpg)
保护器件/3301908.jpg)
WPM2006-6/TR品牌厂家：WILLSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购WPM2006-6/TR、查询WPM2006-6/TR代理商； WPM2006-6/TR价格批发咨询客服；这里拥有
WPM2006-6/TR中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
WPM2006-6/TR替代型号
、
WPM2006-6/TR数据手册PDF。