制造商型号: | WPM1483-3/TR |
制造商: | WILLSEMI (韦尔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.2A 漏源电压(Vdss):12V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:37mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):570mW 类型:P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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WILLSEMI(韦尔) WPM1483-3/TR
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WPM1483-3/TR 规格参数
属性
参数值
制造商型号
WPM1483-3/TR
制造商
WILLSEMI(韦尔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.2A 漏源电压(Vdss):12V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:37mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):570mW 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
12V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
3.2A
栅源极阈值电压
850mV @ 250uA
漏源导通电阻
37mΩ @ 3.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
570mW
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5 | 0.551701 | 2.76 |
50 | 0.4468 | 22.34 |
150 | 0.394348 | 59.15 |
500 | 0.35501 | 177.50 |
品牌其他型号
WPM1483-3/TR品牌厂家:WILLSEMI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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