制造商型号: | SVF8N60F |
制造商: | SILAN (士兰微) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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SILAN(士兰微) SVF8N60F
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SVF8N60F 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SVF8N60F
制造商
SILAN(士兰微)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
8A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
1.2Ω @ 4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
48W
类型
N沟道
包装方式
管装
库存: 0
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.825584 | 4.83 |
5 | 3.96 | 19.80 |
10 | 2.80584 | 28.06 |
20 | 2.183904 | 43.68 |
50 | 1.515744 | 75.79 |
品牌其他型号
SVF8N60F品牌厂家:SILAN
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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