制造商型号: | SVF4N60CAMJ |
制造商: | SILAN (士兰微) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):86W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
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SILAN(士兰微) SVF4N60CAMJ
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SVF4N60CAMJ 规格参数
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制造商型号
SVF4N60CAMJ
制造商
SILAN(士兰微)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):86W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
4A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
2.4Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
86W
类型
N沟道
包装方式
管装
库存: 21
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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SVF4N60CAMJ品牌厂家:SILAN
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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