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关于SILAN士兰微

杭州士兰微电子股份有限公司（上交所股票代码：士兰微，600460）坐落于杭州高新技术产业开发区，是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业，公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。

英文全称：SILAN

中文全称：士兰微

英文简称：SILAN

品牌介绍： 士兰微SILAN

产品分类
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
SVF3878PN_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF3878PN
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.28Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥7.2409

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￥5.5105

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￥5.1912

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SVD3205T_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVD3205T
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 62A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥3.3063

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SVF6N70F_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF6N70F
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.7Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥2.2351

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SVF2N60CNF_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF2N60CNF
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：16W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥0.816682

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SVF4N65M_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF4N65M
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥1.147214

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￥0.871689

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SVF840F_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF840F
SILAN(士兰微)
授权代理品牌
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￥1.751

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SVT088R0NT_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVT088R0NT
SILAN(士兰微)
授权代理品牌
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￥1.6789

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SVF4N70F_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF4N70F
SILAN(士兰微)
授权代理品牌
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￥1.796423

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￥1.365059

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SVF4N60CAD_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF4N60CAD
SILAN(士兰微)
授权代理品牌
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￥1.254128

+10：

￥0.952956

+30：

￥0.897645

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SVF10N60F_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF10N60F
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥3.8007

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SVF23N50PN_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF23N50PN
SILAN(士兰微)
授权代理品牌
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￥7.6941

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￥5.6547

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￥5.2839

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￥4.9028

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￥4.738

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SVF13N50F_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF13N50F
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥3.0076

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￥2.2969

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￥2.163

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SVF2N60RDTR_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF2N60RDTR
SILAN(士兰微)
授权代理品牌
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￥0.969024

+10：

￥0.736244

+30：

￥0.693499

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￥0.650857

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SVF14N65CFJ_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF14N65CFJ
SILAN(士兰微)
授权代理品牌
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￥4.8616

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￥3.6771

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￥3.4608

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SVF4N65RDTR_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF4N65RDTR
SILAN(士兰微)
授权代理品牌
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￥1.394311

+10：

￥1.027734

+30：

￥0.960475

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￥0.893113

+500：

￥0.863243

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SVF7N65CD_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF7N65CD
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：89W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.796011

+10：

￥1.337867

+30：

￥1.253716

+100：

￥1.169565

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SVF5N60D_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF5N60D
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.15Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.564879

+10：

￥1.189135

+30：

￥1.120125

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￥1.051012

+500：

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SVF6N60F_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF6N60F
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥2.2248

+10：

￥1.6789

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￥1.5862

+100：

￥1.4832

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￥1.442

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SVF8N60F_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF8N60F
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥2.4102

+10：

￥1.8231

+30：

￥1.7201

+100：

￥1.6068

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￥1.5656

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SVT13N06SA_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVT13N06SA
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.6W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.415323

+10：

￥1.080676

+30：

￥1.019288

+100：

￥0.957797

+500：

￥0.930502

库存： 有货

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SVD501DEAGTR_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVD501DEAGTR
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：1V @ 8uA 漏源导通电阻：700Ω @ 3mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：800mW(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥0.342982

+10：

￥0.260615

+30：

￥0.245486

+100：

￥0.230357

+500：

￥0.223634

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SVF8N65F_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF8N65F
SILAN(士兰微)
授权代理品牌
+1：

￥2.6471

+10：

￥1.9467

+30：

￥1.8231

+100：

￥1.6892

+500：

￥1.6377

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SVF4N65CAF_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF4N65CAF
SILAN(士兰微)
授权代理品牌
+1：

￥1.427683

+10：

￥1.084899

+30：

￥1.021863

+100：

￥0.95893

+500：

￥0.930914

库存： 有货

国内：1~2 天

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SVT044R5NT_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVT044R5NT
SILAN(士兰微)
授权代理品牌
+1：

￥2.8325

+10：

￥2.0909

+30：

￥1.957

+100：

￥1.8128

+500：

￥1.751

库存： 有货

国内：1~2 天

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SVF4N60RD-TR_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF4N60RD-TR
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.350536

+10：

￥1.026189

+30：

￥0.966655

+100：

￥0.907121

+500：

￥0.88065

库存： 有货

国内：1~2 天

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SVF18N50F_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF18N50F
SILAN(士兰微)
授权代理品牌
+1：

￥6.3242

+10：

￥4.7792

+30：

￥4.4908

+100：

￥4.2127

+500：

￥4.0891

库存： 有货

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SVF10N65F_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF10N65F
SILAN(士兰微)
授权代理品牌
+1：

￥2.575

+10：

￥1.8643

+30：

￥1.7407

+100：

￥1.6068

+500：

￥1.5553

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 暂无参数
SVF6N60D_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF6N60D
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥2.7089

+10：

￥2.1424

+30：

￥2.0394

+100：

￥1.9364

+500：

￥1.8952

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 暂无参数
SVF4N65DTR_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF4N65DTR
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.226215

+10：

￥0.931738

+30：

￥0.877663

+100：

￥0.823588

+500：

￥0.799589

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SVF12N65F_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF12N65F
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：680mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥4.2333

+10：

￥3.3578

+30：

￥3.193

+100：

￥3.0385

+500：

￥2.9664

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 暂无参数
SVF4N60CAF_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF4N60CAF
SILAN(士兰微)
授权代理品牌
+1：

￥1.468677

+10：

￥1.082633

+30：

￥1.011666

+100：

￥0.940802

+500：

￥0.909284

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SVD9Z24NT_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVD9Z24NT
SILAN(士兰微)
授权代理品牌
+1：

￥1.860386

+10：

￥1.371342

+30：

￥1.281526

+100：

￥1.19171

+500：

￥1.151746

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SVF2N65F_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF2N65F
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.243313

+10：

￥0.944819

+30：

￥0.88992

+100：

￥0.835124

+500：

￥0.810713

库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
SVF7N60F_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF7N60F
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥3.4711

+10：

￥2.6471

+30：

￥2.4926

+100：

￥2.3381

+500：

￥2.2763

库存： 有货

国内：1~2 天

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SVF4N65F_晶体管-FET，MOSFET-射频
SVF4N65F
SILAN(士兰微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥2.6471

+10：

￥1.9982

+30：

￥1.8849

+100：

￥1.7613

+500：

￥1.7098

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