制造商型号： | KIA3510AD |
制造商： | KIA |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：166W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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客服： | |
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KIA KIA3510AD
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KIA3510AD 规格参数
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参数值
制造商型号
KIA3510AD
制造商
KIA
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：166W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
70A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
11mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
166W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 530
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 2.982638 | 2.98 |
| 30 | 2.879788 | 86.39 |
| 100 | 2.674088 | 267.41 |
| 500 | 2.468388 | 1234.19 |
| 1000 | 2.365538 | 2365.54 |
品牌其他型号
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KIA3510AD品牌厂家：KIA
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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