制造商型号: | HSBB3103 |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):32A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):29W 类型:P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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HUASHUO(华朔) HSBB3103
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HSBB3103 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSBB3103
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):32A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):29W 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
32A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
20mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
29W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5 | 1.093383 | 5.47 |
50 | 0.870248 | 43.51 |
150 | 0.774743 | 116.21 |
500 | 0.655418 | 327.71 |
品牌其他型号
HSBB3103品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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