制造商型号: | HSM4004 |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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HUASHUO(华朔) HSM4004
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HSM4004 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSM4004
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
10A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
12mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.5W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5 | 1.124525 | 5.62 |
50 | 0.91341 | 45.67 |
150 | 0.822933 | 123.44 |
500 | 0.710054 | 355.03 |
品牌其他型号
HSM4004品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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