制造商型号: | HSH150N04 |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4.0V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):180W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
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HUASHUO(华朔) HSH150N04
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HSH150N04 规格参数
属性
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制造商型号
HSH150N04
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4.0V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):180W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
150A
栅源极阈值电压
4.0V @ 250uA
漏源导通电阻
4mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
180W
类型
N沟道
包装方式
编带
品牌其他型号
HSH150N04品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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