制造商型号: | 1N60L-TN3-R |
制造商: | TC (德昌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):28W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多1N60L-TN3-R价格库存等采购信息! |
TC(德昌) 1N60L-TN3-R
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
1N60L-TN3-R 规格参数
属性
参数值
制造商型号
1N60L-TN3-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):28W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
1.2A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
11.5Ω @ 600mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
28W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.167945 | 1.17 |
10 | 0.978574 | 9.79 |
30 | 0.897415 | 26.92 |
100 | 0.816256 | 81.63 |
500 | 0.762151 | 381.08 |
品牌其他型号
1N60L-TN3-R品牌厂家:TC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
,可在锐单商城现货采购1N60L-TN3-R、查询1N60L-TN3-R代理商; 1N60L-TN3-R价格批发咨询客服;这里拥有
1N60L-TN3-R中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
1N60L-TN3-R替代型号
、
1N60L-TN3-R数据手册PDF。