制造商型号: | 3N70L-TN3-R |
制造商: | TC (德昌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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TC(德昌) 3N70L-TN3-R
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3N70L-TN3-R 规格参数
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参数值
制造商型号
3N70L-TN3-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
700V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
3A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
4Ω @ 1.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
50W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 2.300137 | 2.30 |
10 | 1.947388 | 19.47 |
30 | 1.79621 | 53.89 |
100 | 1.645032 | 164.50 |
500 | 1.544246 | 772.12 |
品牌其他型号
3N70L-TN3-R品牌厂家:TC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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