制造商型号： | UT3N06G-AB3-R |
制造商： | TC (德昌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：690mW 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TC(德昌) UT3N06G-AB3-R
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UT3N06G-AB3-R 规格参数
属性
参数值
制造商型号
UT3N06G-AB3-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：690mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
90mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
690mW
类型
N沟道
包装方式
编带
UT3N06G-AB3-R 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5 | 0.651934 | 3.26 |
| 50 | 0.532609 | 26.63 |
| 150 | 0.472946 | 70.94 |
| 500 | 0.428199 | 214.10 |
品牌其他型号
UT3N06G-AB3-R品牌厂家：TC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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