制造商型号: | 12P10L-TN3-R |
制造商: | TC (德昌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.4A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:290mΩ @ 4.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:P沟道 |
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TC(德昌) 12P10L-TN3-R
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12P10L-TN3-R 规格参数
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制造商型号
12P10L-TN3-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.4A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:290mΩ @ 4.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
9.4A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
290mΩ @ 4.7A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
50W(Tc)
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 1621
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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12P10L-TN3-R品牌厂家:TC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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