制造商型号： | SE2102M |
制造商： | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：600mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170mW(Tj) 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE2102M
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SE2102M 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE2102M
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：600mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170mW(Tj) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
600mA
栅源极阈值电压
900mV @ 250uA
漏源导通电阻
350mΩ @ 600mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
170mW(Tj)
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 20 | 0.231807 | 4.64 |
| 200 | 0.185092 | 37.02 |
| 600 | 0.15914 | 95.48 |
| 2000 | 0.143569 | 287.14 |
| 8000 | 0.130074 | 1040.59 |
品牌其他型号
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SE2102M品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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