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SINO-IC(光宇睿芯) SE60120B

SINO-IC(光宇睿芯) SE60120B
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请参阅产品规格

制造商型号:

SE60120B

制造商:

SINO-IC (光宇睿芯)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-射频

商品描述:

连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200W 类型:N沟道

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SE60120B 规格参数

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制造商型号

SE60120B

制造商

SINO-IC(光宇睿芯)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200W 类型:N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

120A

栅源极阈值电压

4V @ 250uA

漏源导通电阻

5.5mΩ @ 40A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

200W

类型

N沟道

包装方式

管装

库存: 22

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

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整装:

¥10
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