制造商型号: | SE60120B |
制造商: | SINO-IC (光宇睿芯) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200W 类型:N沟道 |
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SINO-IC(光宇睿芯) SE60120B
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SE60120B 规格参数
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制造商型号
SE60120B
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
120A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
5.5mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
200W
类型
N沟道
包装方式
管装
库存: 22
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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SE60120B品牌厂家:SINO-IC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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