制造商型号: | CS16N06AE-G |
制造商: | 华润华晶 (华润华晶) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
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华润华晶(华润华晶) CS16N06AE-G
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CS16N06AE-G 规格参数
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制造商型号
CS16N06AE-G
制造商
华润华晶(华润华晶)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
16A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
10mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
3.1W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 400
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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CS16N06AE-G品牌厂家:华润华晶
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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