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| | 集电极电流Ic:1.3A 额定功率:40W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:1.5A 额定功率:800mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:1.5A 额定功率:50W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:2A 额定功率:1.1W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:450V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:4A 额定功率:50W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:2A 额定功率:800mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:450V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:1.3A 额定功率:800mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:1.3A 额定功率:800mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:8A 额定功率:80W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
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| | 集电极电流Ic:12A 额定功率:100W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
| | 集电极电流Ic:12A 额定功率:120W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管IGBT | | | 暂无参数 |
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| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |