制造商型号: | CS1N60A1H |
制造商: | 华润华晶 (华润华晶) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):800mA(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:15Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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华润华晶(华润华晶) CS1N60A1H
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CS1N60A1H 规格参数
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制造商型号
CS1N60A1H
制造商
华润华晶(华润华晶)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):800mA(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:15Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
800mA(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
15Ω @ 400mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
3W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
袋装
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5 | 0.653107 | 3.27 |
50 | 0.538529 | 26.93 |
150 | 0.481241 | 72.19 |
500 | 0.438274 | 219.14 |
2500 | 0.403901 | 1009.75 |
品牌其他型号
CS1N60A1H品牌厂家:华润华晶
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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