制造商型号: | UMW8205A |
制造商: | MW (台湾明纬) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:双N沟道 |
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MW(台湾明纬) UMW8205A
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UMW8205A 规格参数
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制造商型号
UMW8205A
制造商
MW(台湾明纬)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:双N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
5A
栅源极阈值电压
1.2V @ 250uA
漏源导通电阻
27mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
830mW
类型
双N沟道
包装方式
编带
库存: 20890
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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UMW8205A品牌厂家:MW
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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