制造商型号: | LBSS123LT1G |
制造商: | LRC (乐山无线电) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:6Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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LRC(乐山无线电) LBSS123LT1G
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LBSS123LT1G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
LBSS123LT1G
制造商
LRC(乐山无线电)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:6Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
170mA
栅源极阈值电压
2V @ 1mA
漏源导通电阻
6Ω @ 100mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
225mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 7785
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 0.115325 | 0.12 |
100 | 0.107932 | 10.79 |
300 | 0.100539 | 30.16 |
500 | 0.093146 | 46.57 |
2000 | 0.089455 | 178.91 |
品牌其他型号
LBSS123LT1G品牌厂家:LRC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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