LBSS123LT1G
数据手册.pdfLeshan Radio(乐山无线电)
电子元器件分类
LBSS123LT1G中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 6 Ω
极性 N
阈值电压 0.8 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 0.17A
封装参数
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
最小包装 3000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
LBSS123LT1G引脚图与封装图
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在线购买LBSS123LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| LBSS123LT1G | Leshan Radio 乐山无线电 | MOS场效应管/LBSS123LT1G | 搜索库存 |
替代型号LBSS123LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： LBSS123LT1G 品牌： Leshan Radio 乐山无线电 封装： | 当前型号 | MOS场效应管/LBSS123LT1G | 当前型号 |
| 型号： BSS123LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 100V 170mA 6ohms 20pF | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | LBSS123LT1G和BSS123LT1G的区别 |
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