制造商型号： | VBMB1101M |
制造商： | VBsemi (台湾微碧) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：86mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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VBsemi(台湾微碧) VBMB1101M
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VBMB1101M 规格参数
属性
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制造商型号
VBMB1101M
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：86mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
18A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
86mΩ @ 100A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
48W
类型
N沟道
包装方式
管装
库存： 12
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
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VBMB1101M品牌厂家：VBsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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