制造商型号: | VBM1158N |
制造商: | VBsemi (台湾微碧) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):107W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
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VBsemi(台湾微碧) VBM1158N
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VBM1158N 规格参数
属性
参数值
制造商型号
VBM1158N
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):107W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
20A
栅源极阈值电压
3.5V @ 250uA
漏源导通电阻
80mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
107W
类型
N沟道
包装方式
管装
库存: 20
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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VBM1158N品牌厂家:VBsemi
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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