制造商型号： | 20P06 TO252 |
制造商： | VBsemi (台湾微碧) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：61mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4W 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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VBsemi(台湾微碧) 20P06 TO252
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20P06 TO252 规格参数
属性
参数值
制造商型号
20P06 TO252
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：61mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
30A(Tc)
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
61mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
4W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 3.904111 | 3.90 |
| 10 | 3.256963 | 32.57 |
| 30 | 2.928084 | 87.84 |
| 100 | 2.684077 | 268.41 |
| 500 | 2.450679 | 1225.34 |
品牌其他型号
20P06 TO252品牌厂家：VBsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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