制造商型号： | VBL2309 |
制造商： | VBsemi (台湾微碧) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
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客服： | |
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VBsemi(台湾微碧) VBL2309
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VBL2309 规格参数
属性
参数值
制造商型号
VBL2309
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
75A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
8mΩ @ 75A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
250W
类型
P沟道
包装方式
管装
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.081181 | 5.08 |
| 10 | 4.206999 | 42.07 |
| 50 | 3.769908 | 188.50 |
| 100 | 3.343745 | 334.37 |
| 500 | 3.08149 | 1540.75 |
品牌其他型号
VBL2309品牌厂家：VBsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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