制造商型号: | WSD2012DN25 |
制造商: | WINSOK (微硕) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:双N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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WINSOK(微硕) WSD2012DN25
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WSD2012DN25 规格参数
属性
参数值
制造商型号
WSD2012DN25
制造商
WINSOK(微硕)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:双N沟道
漏源电压(Vdss)
-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
11A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
9.5mΩ @ 5.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.7W
类型
双N沟道
包装方式
编带
库存: 175
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.04544 | 1.05 |
10 | 1.00672 | 10.07 |
100 | 0.913792 | 91.38 |
500 | 0.867328 | 433.66 |
品牌其他型号
WSD2012DN25品牌厂家:WINSOK
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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