制造商型号： | TK16J60W,S1VE |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Toshiba(东芝) TK16J60W,S1VE
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TK16J60W,S1VE 中文资料
数据手册PDF
TK16J60W,S1VE 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 15.8 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 130 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 50 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 34.39385 | 34.39 |
| 10 | 30.890111 | 308.90 |
| 100 | 25.307009 | 2530.70 |
| 500 | 21.543707 | 10771.85 |
| 1000 | 18.169391 | 18169.39 |
品牌其他型号
TK16J60W,S1VE品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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