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| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:19mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):14W(Tc) 类型:双N沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):85A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52.1W(Tc) 类型:P沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:38mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52.1W(Tc) 类型:N沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W(Tc) 类型:双P沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
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| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc),20A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 12A,10V;38mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc),31.3W(Tc) 类型:N沟道和P沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
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| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31.3W(Tc) 类型:P沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:双N沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
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| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:42mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:P沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
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| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W 类型:N沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:52mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W(Tc) 类型:N沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
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| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.9W(Tc) 类型:P沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
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| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 10A,6V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W 类型:P沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:1.6V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
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| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:105mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
| | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W(Tc) 类型:N沟道 晶体管-FET,MOSFET-射频 | | | 暂无参数 |
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