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微碩半導體專注于半導體封裝、測試,多年來緻力于電子元器件開發研究。企業于2000年成立,成爲東亞地區少數能夠提供“芯片測試、封裝設計、封裝測試、特訂産品”的企業,現已擁有地區、世界級企業技術中心、博士後科研工作站,是台灣重點高新技術企業、清潔環保型企業、高密度集成電路國家工程實驗室依托單位及全球半導體聯盟(GSA)成員。創新的産品和解決方案廣泛應用于汽車電子、電源管理、通信設備、工業設備、照明、便攜式産品、消費類電子與計算機3C産品等領域。企業一直秉承“客戶至上、團隊協作、坦誠守信”的理念,向顧客提供技術領先的有競争力的産品,提供周到的優質服務,不斷提高顧客滿意度;保持主業産品的品牌優勢,打造國際知名品牌

英文全称:WINSOK

中文全称:微硕

英文简称:WINSOK

品牌介绍: 微硕WINSOK

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
WSP4888_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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¥1.77469

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WSD30150DN56_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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WST02N10_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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WSD3020DN_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:19mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):14W(Tc) 类型:双N沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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WSF90P03_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):85A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52.1W(Tc) 类型:P沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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¥3.3578

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WST2333_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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WSF40N10_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:38mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52.1W(Tc) 类型:N沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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WSP4953_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W(Tc) 类型:双P沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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WSP4447_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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WSD40120DN56G_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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¥3.502

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WSF4012_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc),20A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 12A,10V;38mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc),31.3W(Tc) 类型:N沟道和P沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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WST2301_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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WSF45P06_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31.3W(Tc) 类型:P沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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WSD4066DN_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:双N沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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WSG03N10_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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WSP10N10_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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WSF40P04_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:42mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:P沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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WSF20N20_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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WSF15N10_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W 类型:N沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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WST3407_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:52mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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库存: 有货

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WSD40120DN56_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W(Tc) 类型:N沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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WSD30L30DN_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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WST6002_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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库存: 有货

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WST3408_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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库存: 有货

国内:1~2 天

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WSD30L40DN_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.9W(Tc) 类型:P沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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库存: 有货

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WSF07N10_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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库存: 有货

国内:1~2 天

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WSP05N15_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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WSD30L60DN56_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 10A,6V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W 类型:P沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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库存: 有货

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WST4040_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:1.6V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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WST6008_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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WSP06N10_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:105mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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库存: 有货

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WST3406A_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W(Tc) 类型:N沟道

晶体管-FET,MOSFET-射频

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WSD60N10GDN56_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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WSD20L50DN_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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WSP8810A_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌
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