制造商型号： | UT2301G-AE3-R |
制造商： | TC (德昌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：450mV @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.14W 类型：P沟道 |
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TC(德昌) UT2301G-AE3-R
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UT2301G-AE3-R 规格参数
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参数值
制造商型号
UT2301G-AE3-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：450mV @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.14W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
2.8A
栅源极阈值电压
450mV @ 250uA
漏源导通电阻
130mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.14W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存： 16682
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
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UT2301G-AE3-R品牌厂家：TC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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