制造商型号: | HSU18N20 |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:170mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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HUASHUO(华朔) HSU18N20
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HSU18N20 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSU18N20
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:170mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
18A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
170mΩ @ 9A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
83W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 3.223545 | 3.22 |
10 | 2.633472 | 26.33 |
30 | 2.338436 | 70.15 |
100 | 2.043399 | 204.34 |
500 | 1.868563 | 934.28 |
品牌其他型号
HSU18N20品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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