制造商型号： | DMP2066LSN-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMP2066LSN-7
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DMP2066LSN-7 中文资料
数据手册PDF
DMP2066LSN-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.6 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 10.1 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23.4 ns
正向跨导（Min） 9 S
上升时间 9.9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns
外形参数
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 133543
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.729958 | 5.73 |
| 10 | 4.945202 | 49.45 |
| 100 | 3.434237 | 343.42 |
| 500 | 2.68162 | 1340.81 |
| 1000 | 2.179627 | 2179.63 |
品牌其他型号
DMP2066LSN-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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