制造商型号: | KIA50N03BD |
制造商: | KIA |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9.9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
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KIA KIA50N03BD
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KIA50N03BD 规格参数
属性
参数值
制造商型号
KIA50N03BD
制造商
KIA
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9.9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
50A(Tc)
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
9.9mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
60W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 607
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5 | 0.83248 | 4.16 |
20 | 0.754435 | 15.09 |
100 | 0.67639 | 67.64 |
500 | 0.598345 | 299.17 |
1000 | 0.561924 | 561.92 |
品牌其他型号
KIA50N03BD品牌厂家:KIA
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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