制造商型号： | L2N7002SDW1T1G |
制造商： | LRC (乐山无线电) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：320mA 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：双N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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LRC(乐山无线电) L2N7002SDW1T1G
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L2N7002SDW1T1G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
L2N7002SDW1T1G
制造商
LRC(乐山无线电)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：320mA 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：双N沟道
漏源电压（Vdss）
-60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
320mA
栅源极阈值电压
2V @ 250uA
漏源导通电阻
2.8Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
300mW
类型
双N沟道
包装方式
编带
库存： 1618
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 0.160942 | 0.16 |
| 30 | 0.154892 | 4.65 |
| 100 | 0.148842 | 14.88 |
| 500 | 0.136742 | 68.37 |
| 1000 | 0.130692 | 130.69 |
品牌其他型号
L2N7002SDW1T1G品牌厂家：LRC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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