制造商型号: | LP2301BLT1G |
制造商: | LRC (乐山无线电) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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LRC(乐山无线电) LP2301BLT1G
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LP2301BLT1G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
LP2301BLT1G
制造商
LRC(乐山无线电)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
2.8A
栅源极阈值电压
900mV @ 250uA
漏源导通电阻
100mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
900mW
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 255
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 0.182916 | 0.18 |
30 | 0.175934 | 5.28 |
100 | 0.168952 | 16.90 |
500 | 0.154989 | 77.49 |
1000 | 0.148007 | 148.01 |
品牌其他型号
LP2301BLT1G品牌厂家:LRC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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