制造商型号： | SW630D |
制造商： | MW (台湾明纬) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96.2W(Tc) 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
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客服： | |
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MW(台湾明纬) SW630D
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SW630D 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SW630D
制造商
MW(台湾明纬)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96.2W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
9A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
400mΩ @ 4.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
96.2W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 2.216114 | 2.22 |
| 10 | 1.853711 | 18.54 |
| 30 | 1.698395 | 50.95 |
| 100 | 1.543079 | 154.31 |
| 500 | 1.439535 | 719.77 |
品牌其他型号
SW630D品牌厂家：MW
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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