类别：分离式半导体产品
家庭：JFET（结点场效应
系列：-
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：900µA @ 20V
漏极至源极电压(Vdss)：-
漏极电流 (Id) - 最大：-
FET 型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40V
电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：800mV @ 10nA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
电阻 - RDS（开）：-
安装类型：通孔
包装：散装
封装/外壳：TO-92-3（标准主体），TO-226
功率 - 最大：625mW
供应商设备封装：*
J202
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DGS35-1J202048 | SICK (西克) | ROTARY ENCODR INCREMENT 2048PPR | 立即购买 |
| SQJ202EP-T1_GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO | 立即购买 |
| SQJ202EP-T1_GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO | 立即购买 |
| MMBFJ202 | ON (安森美) | JFET N-CH 40V 350MW SOT23 | 立即购买 |
| SQJ202EP-T1_GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO | 立即购买 |