类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 毫欧 @ 75A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：120A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：170nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：6540pF @ 50V
功率 - 最大：300W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB
IRFB3206PBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFB3004PBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB | 立即购买 |
| IRFB3306GPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 60V 160A TO-220AB | 立即购买 |
| IRFB3307PBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB | 立即购买 |
| IRFB3207ZPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | 立即购买 |
| IRFB3607PBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB | 立即购买 |