类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.8 毫欧 @ 38A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：150A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：47nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4170pF @ 15V
功率 - 最大：140W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）
包装：管件
供应商设备封装：D2PAK
其它名称：*IRL7833SPBF
IRL7833SPBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRL7833STRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | 立即购买 |
| IRL7833STRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | 立即购买 |
| IRL7833STRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | 立即购买 |
| IRL7833STRRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | 立即购买 |
| IRL7833PBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB | 立即购买 |