IRFH7923TRPBF

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.7 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：15A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1095pF @ 15V
功率 - 最大：3.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PQFN，8-PowerQFN
包装：剪切带 (CT)
供应商设备封装：PQFN (5x6) 单芯片焊盘
其它名称：IRFH7923TRPBFCT