类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫欧 @ 8.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：14A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：58nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：760pF @ 25V
功率 - 最大：79W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB
其它名称：*IRF9530NPBF
IRF9530NPBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF9540NPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB | 立即购买 |
| IRF9510PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB | 立即购买 |
| IRF9530NPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB | 立即购买 |
| IRF9520NPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB | 立即购买 |
| IRF9530SPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK | 立即购买 |